功率半导体静态测试仪

更新日期：2024年09月19日
有效期：360天
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价格：￥1000
供货总量：10000
规格：PMST-2200V
所属行业：五金工业品-> 仪器仪表-> 电子测量仪器
关键字：功率半导体测试仪功率器件测试仪静态参数测试仪

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武汉普赛斯仪表有限公司

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数字源表半导体参数测试仪功率器件分析仪

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半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的工具之一是功率器件测试系统，普赛斯功率半导体静态测试仪集多种测量和分析功能一体，可以测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476

系统特点和优势：

单台Z大3500V输出；

单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；

1的超快电流上升沿；

同步测量；

国标全指标的自动化测试；

系统指标

项目		参数
集电极-发射极	Z大电压.	3500V
	Z大电流	6000A
	精度	0.10%
	大电压上升沿	典型值5ms
	大电流上升沿	典型值1
	大电流脉宽	5~50
	漏电流测试量程	1nA~100mA
栅极-发射极	Z大电压	300V
	Z大电流	1A(直流)/10A(脉冲)
	精度	0.05%
	Z小电压分辨率	30uV
	Z小电流分辨率	10pA
电容测试	典型精度	0.5%
	频率范围	10Hz~1MHz
	电容值范围	0.01pF~9.9999F
温控	范围	25℃~150℃
温控	精度	±1℃

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat

集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges

栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)

输入电容、输出电容、反向传输电容

续流二极管压降Vf

I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

普赛斯功率半导体静态测试仪集多种测量和分析功能一体，可测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，皮安级电流测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

选择普赛斯仪表的理由

武汉普赛斯是国内早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；

普赛斯仪表特色：高电流、高电压测试，3500V电压下可测量pA级漏电流，1000A脉冲电流源1的超快上升沿。详询一八一四零六六三四七六；

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