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140MG-H8E-D10

更新日期:2018年12月20日
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规格:140MG-H8E-D10
所属行业:五金工业品-> 电子电工-> 配电装置、开关...
关键字:140MGH8ED10140MGH8ED10140MGH8ED10
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140MG-H8E-D10 

针对LED照明负载特点,目前非隔离式的恒流驱动电源的拓扑结构基本上是BUCK降压结构,主流的方案是通过固定关断时间来固定峰值电流,从而达到固定输出电流的控制策略。本文将讨论这种控制策略实现恒流的原理,分析这种开环控制策略的优缺点,和应用这种控制策略需要做的外围补偿,同时基于DU8608芯片,介绍这种全新的闭环电流控制策略,详细介绍这种控制策略如何突破性提高LED输出电流精度,从开环到闭环是其本质的突破。

二、原理与设计

2.1 目前LED非隔离恒流驱动电流领域主流的控制策略

如图1所示,电路是BUCK降压结构,芯片控制的是MOSFET的源极,这是一种开环的恒流电流控制方式,控制原理如下:

当MOSFET开通时,电流从DC通过LED负载,流过电感,流入地。

Vi-Vo=Ldi/dt=L*Ir/DT (1)

当MOSFET关断时,电感电流从D1续流。得出以下公式:

Vo=Ldi/dt=L*Ir/(1-D)T (2)

Io(average)=Ipk-1/2*Ir (3)

由(2)和(3)Io=Vref/Rs-Vo*(1-D)T/(2*L) (4)

Vref和Rcs都是设定的定值,由于电流流过LED负载,如果电流固定,可以认为LED的电压Vo是固定的,所以从式(4)看出,只要电感值L固定,再固定关断时间(1-D)T,Io即固定。

140MG-H8E-D10

所以,这种开环的控制策略是,连接在Rt的电阻设定MOSFET的关断时间。每个周期开始,MOSFET打开直到电感电流上升到峰值Vref/Rs,这时MOSFET关断,关断时间由Rt决定。过了设定的关断时间,MOSFET又重新打开,这样周而复始地工作。关断时间控制了纹波电流LED平均电流,根据想要输出的电流值,调节CS管脚的Rs值,调节Rt值,固定每个开关周期的关断时间为一个值,从而实现了输出电流恒流。

这是一种简单有效的控制策略,但是由于这是一种开环控制模式,只能检测电感上的峰值电流,无法检测输出电流,输出电流精度在三种情况下容易出现偏差:

1.输入电压波动。(开环控制,无法反馈,系统延时造成)

2.批量生产电感感值偏差。(式4中,L变化引起Io变化)

3.LED负载电压不相同(Vo)。

140MG-H8E-D10

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