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HCS03.1E-W0070-A-05-NNNV

更新日期:2019年03月05日
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规格:HCS03.1E-W0070-A-05-NNNV
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根据ARM、赛灵思的信息,该物理IP预计在明年初流片,2017年出样给客户,不过正式上市要等到2018年。这个时间点跟TSMC宣布的7nm量产时间差不多,该公司之前多次强调会在2018年量产7nm工艺。

【图文】ARM、赛灵思  TSMC 7nm:2017年初流片,2018年将上市

ARM、赛灵思 TSMC的7nm工艺

那么7nm工艺到底能带来多大的提升?恰好TSMC这两天公布了部分7nm工艺细节,他们已经使用7nm工艺试产了256MB SRAM电路,cell单元面积只有0.027mm2,读写电压0.5V,与16nm工艺相比速度可以提升40%,或者功耗降低65%。
 

【图文】ARM、赛灵思  TSMC 7nm:2017年初流片,2018年将上市

TSMC的7nm工艺优势

不过TSMC这个对比中还隔了一个10nm,他们之前也公布过与10nm工艺的对比,7nm工艺下晶体管速度提升20%,或者能耗降低40%。

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